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IRS2005SPBF集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IRS2005SPBF |
參數(shù)屬性 | IRS2005SPBF 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
功能描述 | High and Low Side Driver |
封裝外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
1.98248 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
19 頁 |
生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-24 23:50:00 |
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IRS2005SPBF規(guī)格書詳情
IRS2005SPBF屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRS2005SPBF柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
描述 Description
The IRS2005 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 200 V. Propagation delays are matched to simplify the HVIC’s use in high frequency applications.
特性 Features
? Gate drive supplies up to 20V per channel
? Undervoltage lockout for VCC, VBS
? 3.3 V, 5V , 15V input logic compatible
? Tolerant to negative transient voltage
? Designed for use with bootstrap power supplies
? Matched propagation delays
? Output in phase with the Inputs
? -40°C to 125°C operating range
? RoHS compliant
Typical Applications
? Appliance motor drives
? Servo drives
? Micro inverter drives
? General purpose three phase inverters
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
IRS2005SPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 驅(qū)動(dòng)配置:
半橋
- 通道類型:
獨(dú)立式
- 柵極類型:
IGBT,N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
10V ~ 20V
- 邏輯電壓?- VIL,VIH:
0.8V,2.5V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
290mA,600mA
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時(shí)間(典型值):
70ns,30ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
SOIC-8_150mil |
30000 |
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Infineon(英飛凌) |
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INFINEON |
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8-SOIC |
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