IRLZ34S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRLZ34S |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
363.43 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 23:01:00 |
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更多IRLZ34S規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRLZ34S)
Low-profile through-hole (IRLZ34L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRLZ34S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 30 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3637 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2023+ |
TO-263 |
1550 |
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
2119+ |
TO-263 |
1500 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
24+ |
TO-263 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
I |
23+ |
T0-263 |
7000 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) |
