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IRLW610A中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRLW610A
廠商型號(hào)

IRLW610A

功能描述

Advanced Power MOSFET

文件大小

237.77 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-3 12:09:00

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IRLW610A規(guī)格書詳情

BVDSS = 200 V

RDS(on) = 1.5?

ID = 3.3 A

FEATURES

? Avalanche Rugged Technology

? Rugged Gate Oxide Technology

? Lower Input Capacitance

? Improved Gate Charge

? Extended Safe Operating Area

? 150°C Operating Temperature

? Lower Leakage Current: 10μA (Max.) @ VDS = 200V

? Lower RDS(ON): 1.185? (Typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRLW610A

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    ADVANCED POWER MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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