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IRLR3303中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRLR3303
廠商型號

IRLR3303

功能描述

Power MOSFET

文件大小

139.15 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-2 16:50:00

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IRLR3303規(guī)格書詳情

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

? Logic-Level Gate Drive

? Ultra Low On-Resistance

? Surface Mount (IRLR3303)

? Straight Lead (IRLU3303)

? Advanced Process Technology

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRLR3303

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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