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IRLR014TRPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRLR014TRPBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
2.16738 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-9 9:07:00 |
| 人工找貨 | IRLR014TRPBF價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRLR014TRPBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRLU, SiHLU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Surface Mount (IRLR014, SiHLR014)
? Straight Lead (IRLU014, SiHLU014)
? Available in Tape and Reel
? Logic-Level Gate Drive
? RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
? Fast Switching
? Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRLR014TRPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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