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IRLML2502TR中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRLML2502TR
廠商型號

IRLML2502TR

功能描述

HEXFETPower MOSFET

文件大小

132.27 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

IRF

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更新時間

2025-9-3 9:04:00

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IRLML2502TR規(guī)格書詳情

描述 Description

These N-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET? power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management.

? Ultra Low On-Resistance

? N-Channel MOSFET

? SOT-23 Footprint

? Low Profile (<1.1mm)

? Available in Tape and Reel

? Fast Switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRLML2502TR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IOR
09+
SOT23-3
5500
原裝無鉛,優(yōu)勢熱賣
詢價
IOR
23+
TO23
12000
現(xiàn)貨或發(fā)貨一天
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2023+
SOT23
5800
進口原裝,現(xiàn)貨熱賣
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2023+
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進口原裝現(xiàn)貨
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SOT-23
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