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IRLML0030中文資料雷卯電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRLML0030
廠商型號

IRLML0030

功能描述

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標識

3404B

封裝外殼

SOT-23

文件大小

2.52747 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

LEIDITECH

中文名稱

雷卯電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 14:40:00

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IRLML0030規(guī)格書詳情

描述 Description

The IRLML0030 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

General Features

VDS = 30V ID =4.2A

RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=10V

Application

Lithium battery protection Wireless impact

Mobile phone fast charging

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRLML0030

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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