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IRLL110中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRLL110
廠商型號(hào)

IRLL110

功能描述

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A)

文件大小

217.28 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-16 23:01:00

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IRLL110規(guī)格書詳情

描述 Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

? Surface Mount

? Available in Tape & Reel

? Dynamic dv/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Logic-Level Gate Drive

? RDS(on)Specified at VGS= 4V & 5V

? Fast Switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRLL110

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
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2000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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