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IRLL014NTR中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書

IRLL014NTR
廠商型號

IRLL014NTR

功能描述

Advanced Process Technology

文件大小

165.67 Kbytes

頁面數量

9

生產廠商

IRF

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-18 18:16:00

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IRLL014NTR規(guī)格書詳情

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of 1.0W is possible in a typical surface mount application.

● Surface Mount

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產品屬性

  • 型號:

    IRLL014NTR

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
20+
SOT223
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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