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IRLH5036TR2PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
IRLH5036TR2PBF |
功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
文件大小 |
308.38 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-1 17:12:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRLH5036TR2PBF
- 功能描述:
MOSFET MOSFT 60V 100A 4.4mOhm 44nC LogLv
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
PQFN |
20000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
16+PBF |
QFN8 |
11395 |
現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
新年份 |
DFN5*6 |
16225 |
原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單帶TP來(lái)談! |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
21+ |
QFN |
30000 |
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
22+ |
QFN8 |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢(xún)價(jià) | ||
2017+ |
PQFN |
6528 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | |||
Infineon Technologies |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
NA/ |
316 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
QFN |
3200 |
原裝長(zhǎng)期供貨! |
詢(xún)價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
8-PQFN5x6 |
23586 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢(xún)價(jià) |