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IRLD024PBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLD024PBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? For Automatic Insertion
? End Stackable
? Logic-Level Gate Drive
? RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
? 175 °C Operating Temperature
? Fast Switching
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLD024PBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
1455 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
SMD |
32360 |
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詢價 | ||
SILICONIXVISHAY |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
IR/VISHAY |
21+ |
DIP4 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
SILICONIXVISHAY |
23+ |
NA |
3700 |
電子元器件供應(yīng)原裝現(xiàn)貨. 優(yōu)質(zhì)獨立分銷。原廠核心渠道 |
詢價 | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
3400 |
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詢價 | ||
IR |
23+ |
HEXDIP |
19526 |
詢價 | |||
IR |
25+23+ |
DIP4 |
75988 |
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IR |
22+ |
DIP-4 |
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原裝正品支持實單 |
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IR-VISHAY |
25+ |
DIP4 |
8379 |
全新原裝正品支持含稅 |
詢價 |
