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IRL640A中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRL640A
廠商型號(hào)

IRL640A

功能描述

Advanced Power MOSFET

文件大小

226.35 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名稱(chēng)

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-5 23:01:00

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IRL640A規(guī)格書(shū)詳情

BVDSS = 200 V

RDS(on) = 0.18?

ID = 18 A

FEATURES

? Logic-Level Gate Drive

? Avalanche Rugged Technology

? Rugged Gate Oxide Technology

? Lower Input Capacitance

? Improved Gate Charge

? Extended Safe Operating Area

? Lower Leakage Current: 10μA (Max.) @ VDS = 200V

? Lower RDS(ON): 0.145? (Typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRL640A

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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