IRL3803S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRL3803S規(guī)格書詳情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with extrmely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount(IRL3803S)
● Low-profile through-hole(IRL3803L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL3803S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
2000 |
TO263 |
255 |
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢 |
詢價 | ||
IRL3803S |
4015 |
4015 |
詢價 | ||||
IR |
2025+ |
TO-263 |
4675 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
IR |
23+24 |
TO-263 |
29840 |
主營MOS管,二極.三極管,肖特基二極管.功率三極管 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-263 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
18+ |
TO-263 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
IR |
08+ |
TO-263 |
1500 |
普通 |
詢價 |
