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IRL3705ZS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRL3705ZS
廠商型號(hào)

IRL3705ZS

功能描述

AUTOMOTIVE MOSFET

文件大小

296.88 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

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更新時(shí)間

2025-8-19 23:01:00

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IRL3705ZS規(guī)格書(shū)詳情

VDSS = 55V

RDS(on) = 8.0m?

ID = 75A

描述 Description

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device

for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

特性 Features

● Logic Level

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRL3705ZS

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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NA/
9249
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來(lái)電查詢15919825718
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