IRL1104L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRL1104L規(guī)格書詳情
VDSS = 40V
RDS(on) = 0.008?
ID = 104A?
Description
Fifth Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET? power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRL1104S)
● Low-profile through-hole (IRL1104L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Logic-Level Gate Drive
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL1104L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
SOT-252 |
688888 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢價 | |||
ir |
05+ |
TO-262 |
15000 |
原裝進口 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
2023+ |
TO-262 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
7284 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-262 |
89630 |
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 |
