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IRGP4620DPbF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRGP4620DPbF
廠商型號(hào)

IRGP4620DPbF

參數(shù)屬性

IRGP4620DPbF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 32A 140W TO247AC

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IGBT 600V 32A 140W TO247AC

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

971.84 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-8 15:03:00

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IRGP4620DPbF規(guī)格書(shū)詳情

IRGP4620DPbF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRGP4620DPbF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

特性 Features

? ?Low VCE(ON) and switching losses

? ?Square RBSOA and maximum junction temperature 175°C

? ?Positive VCE (ON) temperature coefficient

? ?5μs Short Circuit SOA

? ?Lead-Free, RoHS Compliant

Benefits

? ?High efficiency in a wide range of applications and switching

? ? ? frequencies

? ?Improved reliability due to rugged hard switching

? ? ? performance and high power capability

? ?Excellent current sharing in parallel operation

? ?Enables short circuit protection scheme

? ?Environmentally friendly

Applications

? Industrial Motor Drive

? Inverters

? UPS

? Welding

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGP4620DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,12A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    75μJ(開(kāi)),225μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    31ns/83ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,12A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 32A 140W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
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