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IRG8P60N120KDPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG8P60N120KDPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRG8P60N120KDPBF 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
684.05 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-21 12:13:00 |
| 人工找貨 | IRG8P60N120KDPBF價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG8P60N120KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，40A
- 開關能量：
2.8mJ（開），2.3mJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
40ns/240ns
- 測試條件：
600V，40A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2015 |
模塊 |
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Infineon Technologies |
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TO247AC |
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