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IRG7PSH54K10DPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG7PSH54K10DPBF
廠商型號

IRG7PSH54K10DPBF

參數(shù)屬性

IRG7PSH54K10DPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 120A 520W TO274AA

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

752.66 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 23:01:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG7PSH54K10DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,50A

  • 開關能量:

    4.8mJ(開),2.8mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    110ns/490ns

  • 測試條件:

    600V,50A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    SUPER-247?(TO-274AA)

  • 描述:

    IGBT 1200V 120A 520W TO274AA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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