IRG4PH20K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IRG4PH20K |
參數(shù)屬性 | IRG4PH20K 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 11A 60W TO247AC |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
229.85 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-12 17:48:00 |
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IRG4PH20K規(guī)格書詳情
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
特性 Features
? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V
? Combines low conduction losses with high switching speed
? Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
Benefits
? As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI / Noise and switching losses in the Diode and IGBT
? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG4PH20K
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
4.3V @ 15V,5A
- 開關(guān)能量:
450μJ(開),440μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
23ns/93ns
- 測試條件:
960V,5A,50 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1950+ |
TO247 |
4856 |
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詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
28000 |
原裝正品 |
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IR |
23+ |
TO-247 |
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IR |
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IR |
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