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IRG4PC60U-PPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4PC60U-PPBF
廠商型號(hào)

IRG4PC60U-PPBF

參數(shù)屬性

IRG4PC60U-PPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A 520W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

235.88 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-12 9:03:00

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IRG4PC60U-PPBF規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 50 kHz in hard switching and >200kHz in resonant mode.

? Application in UPS, Welding and High Current power supply.

? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency.

? Solder plated version of industry standard TO-247AC package.

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available.

? Solder plated version of the TO-247 allows the reflow soldering of the package heatsink to a substrate material.

? Designed for best performance when used with IR HEXFRED & IR FRED companion diodes.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4PC60U-PPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,40A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    280μJ(開(kāi)),1.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    39ns/200ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,40A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 520W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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