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IRG4PC50S-P

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT

?Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable ?IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions ?Designedtobeadrop-inreplacementforequivalentindustry-standardGeneration3IRIGBTs Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequen

IRF

International Rectifier

IRG4PC50SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC50SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

VCES=600V VCE(on)typ.=1.28V @VGE=15V,IC=41A Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4PC50U

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4PC50U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?Industrystan

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UD

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=27A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRG4PC50UD

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-pack

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-pack

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PC50FD-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 15V，39A

  • 開關(guān)能量：

    1.5mJ（開），2.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    55ns/240ns

  • 測試條件：

    480V，39A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 200W TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRG4PC50FD-EPBF供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 14:21:00

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