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IRG4PC50U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?Industrystan

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UD

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=27A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRG4PC50UD

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-pack

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-pack

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORUltraFastSpeedIGBT

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?Industrystan

IRF

International Rectifier

IRG4PC50W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.30V,@Vge=15V,Ic=27A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC (powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign

IRF

International Rectifier

IRG4PC50W

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=27A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PC50F-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.6V @ 15V，39A

  • 開關(guān)能量：

    370μJ（開），2.1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    31ns/240ns

  • 測試條件：

    480V，39A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 200W TO247AD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
13+
TO-247
3600
原裝進口正品
 詢價
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
Infineon
1931+
N/A
493
加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物
 詢價
INFINEON
1809+
TO-247
375
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
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Infineon
22+
NA
493
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
 詢價
Infineon Technologies
2022+
TO-247AD
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IR
22+
TO-247AD
6000
終端可免費供樣,支持BOM配單
 詢價
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價
更多IRG4PC50F-EPBF供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 10:18:00

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