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IRG4PC30U

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

UltraFastSpeedIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits ?

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IRG4PC30U

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IRG4PC30U

600V 超快 8-60 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封裝;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PC30U

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PC30UD

600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package; ? 經過優(yōu)化的 8-40 kHz 的硬開關高工作頻率\n? IGBT 的設計提供更緊湊的參數分布和更高的效率\n? 與 HEXFREDTM 超快、超軟恢復反并聯(lián)二極管聯(lián)合封裝的 IGBT，在橋配置中使用\n? 行業(yè)標準 TO-247AC 封裝\n? 無鉛\n\n優(yōu)勢:\n? IGBT 提供可實現(xiàn)的高效率\n? 針對特定應用條件進行過優(yōu)化的 IGBT\n? HEXFRED 二極管經過與 IGBT 并用優(yōu)化?；謴吞匦宰钚』瑢彌_的要求更少甚至不需要\n? 旨在“直接替代”同等行業(yè)內標準的第三代 IR IGBT\n;

600V IGBT 與超快8-60 kHz 軟恢復二極管聯(lián)合封裝到 TO-247AC 封裝中。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PC30UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

UltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ult

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IRG4PC30UD

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage ·Anti-ParallelUltraFastDiode ·AvalancheCapability ·InternationalStandardPackage APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries ·WeldingMachines

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRG4PC30UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-

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IRG4PC30UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

UltraFastSpeedIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Genera

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IRG4PC30UD

Fit Rate / Equivalent Device Hours

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產品屬性

  • 產品編號：

    IRG4PC30U

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，12A

  • 開關能量：

    160μJ（開），200μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    17ns/78ns

  • 測試條件：

    480V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 23A 100W TO247AC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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23+
TO-247
65400
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24+
TO3P
85900
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更多IRG4PC30U供應商 更新時間2025-7-28 16:20:00

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