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IRG4BC40W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC40W
廠商型號

IRG4BC40W

參數(shù)屬性

IRG4BC40W 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A 160W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

129.449 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 11:39:00

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IRG4BC40W規(guī)格書詳情

特性 Features

? Designed expressly for Switch-Mode Power

Supply and PFC (power factor correction)

applications

? Industry-benchmark switching losses improve

efficiency of all power supply topologies

? 50 reduction of Eoff parameter

? Low IGBT conduction losses

? Latest-generation IGBT design and construction offers

tighter parameters distribution, exceptional reliability

Benefits

? Lower switching losses allow more cost-effective

operation than power MOSFETs up to 150 kHz

(hard switched mode)

? Of particular benefit to single-ended converters and

boost PFC topologies 150W and higher

? Low conduction losses and minimal minority-carrier

recombination make these an excellent option for

resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC40W

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    110μJ(開),230μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    27ns/100ns

  • 測試條件:

    480V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 160W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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