最新无码a∨在线观看,一本av高清一区二区三区,亚洲熟妇色l20p,宅男噜噜69av,中出あ人妻熟女中文字幕

首頁(yè) >IRG4BC30U-S>規(guī)格書(shū)列表

零件型號(hào)下載 訂購(gòu)功能描述制造商 上傳企業(yè)LOGO

IRG4BC30U-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardD2Pakpackage Benefits ?Generati

IRF

International Rectifier

IRG4BC30U-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT; ? UltraFast: Optimized for high operating\n?? frequencies 8-40 kHz in hard switching, 200\n?? kHz in resonant mode\n? Generation 4 IGBT design provides tighter\n?? parameter distribution and higher efficiency than\n?? Generation 3\n? Industry standard D2Pak packageBenefits\n? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available\n? IGBTs optimized for specified application conditions\n? Designed to be a \"drop-in\" replacement for equivalent\n?? industry-standard Generation 3 IR IGBTs;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30U-S

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30U-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardD2Pakpackage ?Lead-Free Benefit

IRF

International Rectifier

IRG4BC30U-SPBF

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30U-STRRP

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC30U-S

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，12A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    160μJ（開(kāi)），200μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/78ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V 23A 100W D2PAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
23+
TO-263
35890
詢價(jià)
IR
05+
原廠原裝
3701
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
24+
原廠封裝
23
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
INFINEON
1503+
TO-263
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
IR
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
IR
21+
TO-263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IR
22+
D2-Pak
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
IR
22+
SOT263
8000
原裝正品支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多IRG4BC30U-S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:29:00

相關(guān)規(guī)格書(shū)

更多

相關(guān)庫(kù)存

更多