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IRFUC20數(shù)據(jù)手冊Infineon中文資料規(guī)格書

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廠商型號

IRFUC20

功能描述

HEXFET Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-17 9:31:00

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IRFUC20規(guī)格書詳情

描述 Description

DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Surface Mount(IRFRC20)
Straight Lead(IRFUC20)
Available in Tape and Reel
Fast Switching
Ease of Paralleling

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    IRFUC20

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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