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IRFU3710ZPbF中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFU3710ZPbF |
| 功能描述 | HEXFET? Power MOSFET |
| 文件大小 |
688.61 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-18 20:03:00 |
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IRFU3710ZPbF規(guī)格書詳情
描述 Description
This HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
特性 Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
● Multiple Package Options
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFU3710ZPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
TO-252 |
1000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
4500 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
詢價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO251 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
15+/16+PBF |
TO-251 |
416 |
普通 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
I-PAK |
12300 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-251 |
219 |
詢價(jià) | |||
IR/INFI |
24+ |
TO-251 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO-251 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) |
