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首頁(yè)>IRFS630B>規(guī)格書詳情

IRFS630B數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

IRFS630B
功能描述

200V N-Channel MOSFET
制造商

ONSEMI ON Semiconductor
中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-24 23:01:00
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技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFS630B

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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