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IRFS59N10DPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFS59N10DPBF
廠商型號

IRFS59N10DPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

224.3 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-15 16:20:00

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IRFS59N10DPBF規(guī)格書詳情

Benefits

● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High frequency DC-DC converters

● UPS / Motor Control Inverters

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFS59N10DPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 76nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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