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IRFY430C	文件：14.79 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO257ABMetalPackage.	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY430C	文件：172.3 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRFY430C	文件：217.04 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY430CM	文件：280.02 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rd(on)=1.5ohm,Id=4.5A) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRFY430M	文件：18.44 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRGB430	文件：253.25 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=15A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
IRGB430U	文件：253.25 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=15A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
IRGB430U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRGP430U	文件：256.41 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=15A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
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