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IRFS38N20DTRLP

HEXFETPower MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFS38N20DTRLPbF

HEXFET? Power MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFSL38N20D

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.054ohm,Id=44A)

Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ?LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

IRF

International Rectifier

IRFSL38N20D

HEXFETPowerMOSFET

Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?PlasmaDisplayPanel ?Lead-Free Benefits ?LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalan

IRF

International Rectifier

IRFSL38N20DPbF

HEXFET?PowerMOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFSL38N20DPBF

HEXFETPowerMOSFET

Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?PlasmaDisplayPanel ?Lead-Free Benefits ?LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalan

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRFS38N20DTRLP

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多IRFS38N20DTRLP供應商 更新時間2025-7-28 14:08:00