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IRFS31N20DPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFS31N20DPBF |
| 功能描述 | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082廓 , ID = 31A ) |
| 文件大小 |
295.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-1 16:50:00 |
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IRFS31N20DPBF規(guī)格書詳情
Applications
High Frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate to Drain to Reduce Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design,
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFS31N20DPBF
- 功能描述：
MOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+23+ |
TO-263 |
27449 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
D2-PAK |
188600 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
581 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
IR |
ROHS |
56520 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長期供貨 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
NA/ |
3831 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
D2PAK |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
D2-PAK |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
