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IRFS17N20D中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRFS17N20D |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A) |
| 文件大小 |
194.73 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRFS17N20D價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFS17N20D規(guī)格書(shū)詳情
SMPS MOSFET
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFS17N20D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
9300 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
TO263 |
9000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
20+ |
D2-PAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
12800 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
IR |
11+ |
TO-263 |
20353 |
詢價(jià) | |||
IR |
2017+ |
TO-263 |
6528 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
2022+ |
D2-PAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
501347 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) |
