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IRFRC20TRR中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFRC20TRR
廠商型號

IRFRC20TRR

功能描述

Power MOSFET

文件大小

4.33972 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

KERSEMI

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-22 23:00:00

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IRFRC20TRR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The D PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFUC/SiHFUC series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFRC20/SiHFRC20)

? Straight Lead (IRFUC20/SiHFUC20)

? Available in Tape and Reel

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFRC20TRR

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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