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IRFR9014TRR中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR9014TRR
廠商型號

IRFR9014TRR

功能描述

Power MOSFET

文件大小

4.53358 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

KERSEMI

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-12 20:57:00

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IRFR9014TRR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFR9014/SiHFR9014)

? Straight Lead (IRFU9014/SiHFU9014)

? Available in Tape and Reel

? P-Channel

? Fast Switching

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFR9014TRR

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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