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IRFR120N

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFR120N

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase,infraredor wave soldering techniques.

Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IRFR120N

MOSFET

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infraredorwavesoldering techniques.Powerdissipationlevelsupto 1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemount applications. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFR120N

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR120N

100V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封裝; \n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 動(dòng)態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFR120NPBF

Fast Switching

VDSS=100V RDS(on)=0.21? ID=9.4A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedes

IRF

International Rectifier

IRFR120NPBF

Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N)

VDSS=100V RDS(on)=0.21? ID=9.4A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedes

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR120N-TP

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Features @Ros=100m@VGS=10V ?SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

IRFR120NTR

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase,infraredor wave soldering techniques.

Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IRFR120NTR

MOSFET

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infraredorwavesoldering techniques.Powerdissipationlevelsupto 1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemount applications. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRFR120NTRLPBF/IRFR120NTRPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    DPAK/DPAK

  • VDS max：

    100 V

  • RDS (on) @10V max：

    210 m?/210 m?

  • ID @25°C max：

    9.4 A/9.4 A

  • QG typ @10V：

    16.7 nC/16.7 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2 V/2 V

  • VGS(th) max：

    4 V/4 V

  • VGS(th)：

    3 V/3 V

  • Technology：

    IR MOSFET?/IR MOSFET?

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IRFR120N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-31 10:12:00

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