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IRFP26N60LPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFP26N60LPBF
廠商型號(hào)

IRFP26N60LPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(on)typ. = 210m廓 , Trr typ. = 170ns , ID = 26A )

文件大小

206.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-22 23:01:00

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IRFP26N60LPBF規(guī)格書詳情

Features and Benefits

? Superfast body diode eliminates the need for external

diodes in ZVS applications

? Lower Gate charge results in simpler drive requirements

? Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness

? Higher Gate voltage threshold offers improved noise immunity

? Lead-Free

Applications

? Zero Voltage Switching SMPS

? Telecom and Server Power Supplies

? Uninterruptible Power Supplies

? Motor Control Applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFP26N60LPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 26 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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