IRFP253中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFP253 |
| 功能描述 | High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
| 文件大小 |
49.56 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-15 17:43:00 |
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IRFP253規(guī)格書詳情
FEATURES:
? Fast switching times
? Low RDS(on) HDMOS? process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Excellent high voltage stability
? Low input capacitance
? Improved high temperature reliability
APPLICATIONS:
? Switching power supplies
? Motor controls
? Audio Amplifiers
? Inverters
? Choppers
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFP253
- 制造商：
SAMSUNG
- 制造商全稱：
Samsung semiconductor
- 功能描述：
N-Channel Power Mosfets
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
25+ |
TO-3P |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-3P |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
原廠封裝 |
9888 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
IR |
24+/25+ |
45 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-247 |
35890 |
詢價 | |||
Samsung |
NA |
8560 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
24+ |
1100 |
詢價 | |||||
IR |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 |
