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IRFIZ48N中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFIZ48N
廠商型號(hào)

IRFIZ48N

功能描述

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=36A)

文件大小

109.29 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-10 9:11:00

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IRFIZ48N規(guī)格書詳情

Through-Hole Packags

TO-220 FullPak (Fully Isolated)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFIZ48N

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MICROCHIP/美國(guó)微芯
21+
TO-220
10000
全新原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
20+
TO-220F
38900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
IR原裝
24+
TO-220F
30980
原裝現(xiàn)貨/放心購(gòu)買
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MICROCHIP/美國(guó)微芯
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TO-220
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全新原裝現(xiàn)貨
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MICROCHIP/美國(guó)微芯
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TO-220
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全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成
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IR
21+
TO-220
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百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅
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IR
23+
TO-220F
35890
詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
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IR
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TO-220F
30000
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