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IRFIBC30GPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFIBC30GPBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.31819 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | VISHAY Vishay Siliconix |
| 中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-11 23:39:00 |
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IRFIBC30GPBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Isolated Package
? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
? Dynamic dV/dt Rating
? Low Thermal Resistance
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFIBC30GPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220FP(TO-220FPAB) |
32360 |
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詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
NA/ |
1850 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
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VISHAY |
24+/25+ |
TO-220FP |
3800 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
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14+ |
TO-220F |
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220FP |
25000 |
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SILICONIX (VISHAY) |
23+ |
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訂貨1周 原裝正品 |
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TO-220F |
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
9896 |
詢價(jià) |
