IRFI830G中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFI830G |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=3.1A) |
| 文件大小 |
170.66 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-1 20:07:00 |
| 人工找貨 | IRFI830G價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFI830G規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applications. The molding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product. The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip or by a single screw fixing.
? Isolated Package
? High Voltage Isolation=2.5KVRMS
? Sink to Lead Creepage Dist.=4.8mm
? Dynamic dV/dt Rating
? Low Thermal Resistance
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFI830G
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 3.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
03+04+ |
TO-220F |
239 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
NA/ |
16383 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-220F |
54648 |
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VISHAY |
24+/25+ |
TO-220FP |
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原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
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IR |
24+ |
TO-220 F |
27500 |
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24+ |
TO-220FP |
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IR |
25+23+ |
TO-220F |
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2450+ |
TO220 |
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IR |
TO-220F |
68500 |
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詢價(jià) |
