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IRFI720GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplica

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFI720GPBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFI720GPBF

MOSFET N-CH400V HEXFET MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFS720

400VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFS720

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS720

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFI720GPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 400V 2.6 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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VISHAY/威世通
20+
na
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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VISHY/TR
2022+
1800
全新原裝 貨期兩周
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TO-220-3(TO-220AB)
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO-220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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Vishay Siliconix
22+
TO2203 Isolated Tab
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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原廠原包
24+
原裝
38560
原裝進口現(xiàn)貨,工廠客戶可以放款。17377264928微信同
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VISHAY/威世
23+
TO220FP
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
更多IRFI720GPBF供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 9:02:00

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