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IRFI630B中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFI630B
廠商型號

IRFI630B

功能描述

200V N-Channel MOSFET

文件大小

1.03019 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

KERSEMI

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-15 13:42:00

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IRFI630B規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

特性 Features

? 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 22 nC)

? Low Crss ( typical 22 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFI630B

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    200V N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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