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IRFI1010N

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFI1010N

Isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplication

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFI1010N

55V 單個 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 FullPAK(Iso)封裝; \n優(yōu)勢:\n? 符合 RoHS\n? 低 RDS(on)\n? 具有業(yè)內(nèi)先進的品質(zhì)\n? 動態(tài)的dv/dt額定值\n? 快速開關(guān)\n? 完全雪崩額定值\n? 175°C 的工作溫度\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFI1010NPBF

HEXFET? Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFI1010NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFI1010NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    TO-220-3 FP

  • VDS?max：

    55.0V

  • RDS (on)?max：

    12.0m?

  • RDS (on)(@10V)?max：

    12.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID (@ TC=100°C)?max：

    31.0A

  • ID ?max：

    31.0A

  • ID (@ TC=25°C)?max：

    44.0A

  • Ptot?max：

    47.0W

  • QG?：

    86.7nC?

  • Mounting?：

    THT

  • Qgd?：

    35.3nC?

  • RthJC?max：

    2.6K/W

  • Tj?max：

    175.0°C

  • VGS?max：

    20.0V

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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更多IRFI1010N供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 9:17:00

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