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IRFH5210TR2PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
IRFH5210TR2PBF |
功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
文件大小 |
239.08 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-17 10:30:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFH5210TR2PBF
- 功能描述:
MOSFET MOSFT 100V 55A 14.9mOhm 39nC Qg
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
21+ |
PQFN |
400 |
原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6L-8 |
986966 |
國(guó)產(chǎn) |
詢(xún)價(jià) | ||
原裝IR |
1923+ |
PQFN |
6800 |
只做全新原裝公司現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)惠可談 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
DFN5X6 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR/INFI |
24+ |
PQFN |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR/INFINEON |
23+ |
PQFN |
12800 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
DFN5X6 |
7000 |
詢(xún)價(jià) | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
8-PowerVDFN |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢(xún)價(jià) |