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IRFH5004TR2PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFH5004TR2PBF
廠商型號(hào)

IRFH5004TR2PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

247.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-8 20:00:00

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IRFH5004TR2PBF規(guī)格書(shū)詳情

Features and Benefits

特性 Features

Low RDSon (≤ 2.6mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (≤ 0.8°C/W)

100 Rg tested

Low Profile (≤ 0.9 mm)

Industry-Standard Pinout

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Industrial Qualification

Benefits

Lower Conduction Losses

Enables better thermal dissipation

Increased Reliability

Increased Power Density

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Applications

? Secondary Side Synchronous Rectification

? Inverters for DC Motors

? DC-DC Brick Applications

? Boost Converters

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFH5004TR2PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
NA/
8969
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢(xún)價(jià)
2017+
PQFN8
6528
只做原裝正品假一賠十!
詢(xún)價(jià)
IR
22+
PQFN8
20000
原裝現(xiàn)貨,假一罰十
詢(xún)價(jià)
IR
21+
QFN
30000
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅
詢(xún)價(jià)
Infineon Technologies
22+
8VQFN
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢(xún)價(jià)
IR
23+
QFN
7000
詢(xún)價(jià)
Infineon
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
詢(xún)價(jià)
Infineon
24+
NA
3010
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢(xún)價(jià)
VBsemi
21+
QFN
10026
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢(xún)價(jià)
NK/南科功率
2025+
DFN5X6L-8
986966
國(guó)產(chǎn)
詢(xún)價(jià)