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IRFD120_V01

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Forautomaticinsertion ?Endstackable ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD120PBF

HEXFET Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4-pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultip

IRF

International Rectifier

IRFD120_17

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD120PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • 漏源電壓（Vdss）：

    100V

  • 柵源極閾值電壓（最大值）：

    4V @ 250uA

  • 漏源導(dǎo)通電阻（最大值）：

    270 mΩ @ 780mA，10V

  • 類型：

    N 溝道

  • 功率耗散（最大值）：

    1.3W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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深圳市勤思達(dá)科技有限公主營IR系列全新原裝正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)IRFD120,IRFD120PBF歡迎咨詢洽談。
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更多IRFD120供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 11:04:00

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