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IRFBG30PBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFBG30PBF
廠商型號(hào)

IRFBG30PBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.52102 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名稱(chēng)

威世科技 威世科技半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 8:01:00

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IRFBG30PBF規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFBG30PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY/IR
24+
原廠封裝
42600
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO-220
36880
只做原裝,QQ詢(xún)價(jià)有詢(xún)必回
詢(xún)價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢(xún)價(jià)
VISHAY
1709+
TO-220A
32580
百分百原裝正品現(xiàn)貨/含16%增值稅
詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO-220AB
2252
18萬(wàn)條庫(kù)存 一站式配齊
詢(xún)價(jià)
VISHAY
2016+
TO-220
3500
本公司只做原裝,假一罰十,可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
詢(xún)價(jià)
TI
23+
SOIC8
12000
全新原裝假一賠十
詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO-220
80000
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開(kāi)13%增
詢(xún)價(jià)
IR
13+
TO220
10
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢(xún)價(jià)
IR
25+
TO-220
54648
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成
詢(xún)價(jià)