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IRFB52N15DPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFB52N15DPBF
廠商型號

IRFB52N15DPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

345.45 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
IRF
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-3 22:30:00

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IRFB52N15DPBF規(guī)格書詳情

Benefits

● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

● Lead-Free

Applications

● High frequency DC-DC converters

● Plasma Display Panel

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFB52N15DPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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