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IRFB38N20D

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)

Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ?LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

IRF

International Rectifier

IRFB38N20D

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFB38N20D

200V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封裝; \n優(yōu)勢(shì):\n? 符合 RoHS\n? 具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的品質(zhì)\n? 經(jīng)過充分驗(yàn)證的雪崩電壓和電流\n? 低柵漏電荷，可降低開關(guān)損耗\n? 經(jīng)過充分驗(yàn)證的的電容，包括有效的Coss以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFB38N20DPBF

HEXFET Power MOSFET

Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?PlasmaDisplayPanel ?Lead-Free Benefits ?LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalan

IRF

International Rectifier

IRFB38N20DPBF

HEXFET Power MOSFET

Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters ?PlasmaDisplayPanel ?Lead-Free Benefits ?LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalan

IRF

International Rectifier

IRFB38N20DPBF

HEXFET? Power MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IRFB38N20DPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    TO220

  • VDS max：

    200 V

  • RDS (on) @10V max：

    54 m?

  • ID @25°C max：

    43 A

  • QG typ @10V：

    60 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    3 V

  • VGS(th) max：

    5 V

  • VGS(th)：

    4 V

  • Technology：

    IR MOSFET?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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TO-220
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IR全新現(xiàn)貨IRFB38N20D即刻詢購立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有排單訂
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TO-220AB
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原裝正品 可含稅交易
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原裝正品公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IRFB38N20D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:33:00

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